栅极长度低于 1nm 的垂直 MoS2 晶体管
“超大规模晶体管对下一代电子设备的开发很感兴趣。尽管已经报道了原子级薄的二硫化钼 (MoS 2 ) 晶体管，但栅极长度低于 1 nm 的器件的制造一直具有挑战性。在这里，我们使用石墨烯层的边缘作为栅电极展示了具有原子级薄沟道和亚 1 nm 物理栅极长度的侧壁 MoS 2晶体管。该方法使用通过化学气相沉积生长的大面积石墨烯和 MoS 2薄膜在 2 英寸晶圆上制造侧壁晶体管。这些器件具有高达 1.02 × 10 5的开/关比和低至 117 mV dec -1的亚阈值摆幅值. 模拟结果表明，MoS 2侧壁有效沟道长度在开启状态下接近0.34 nm，在关闭状态下接近4.54 nm。这项工作可以促进摩尔定律，即下一代电子产品中晶体管的按比例缩小。”
美制裁俄，韩国巨头三星、海力士损失上亿！
美国拜登对俄国祭出科技制裁令，意外牵连韩国芯片厂商及汽车业，其中，三星及SK 海力士等2家公司去年对俄出口价值885亿韩元的芯片，除非立刻找到替代市场，否则损失不可避免。另外去年韩国也对俄出口了价值15亿美元的汽车零组件，将同步受到打击。
《韩国先锋报》报道，美国拜登上周五（25日）公布对俄国的经济制裁措施，BOM表报价TCAN1044VDRBRQ1芯片库存充足，以削弱俄罗斯经济，这项制裁将限制可能增加俄罗斯推进其和航空航天业能力的产品出口，BOM表报价TCAN1044VDRBRQ1芯片，三星电子和SK海力士在内的韩国公司预计将受到附带损害。
同时，美国对俄国的制裁令将间接限制进入俄罗斯智慧型手机、笔电和数据中心的芯片销售，这会阻碍对消费电子产品的需求，BOM表报价TCAN1044VDRBRQ1芯片缺料型号芯片，并抑制芯片市场。韩国半导体与显示技术学会会长朴在根（Park Jae-geun）忧心整个消费电子产品的需求可能会放缓。
被动元件大厂国巨Q2业绩估增4%，封城冲击5月缓解
国巨昨（26）日参加外资举办的线上法说会，国巨执行长王淡如表示，受大陆封城与通膨气焰高张影响，终端消费电子需求偏弱，BOM表报价TCAN1044VDRBRQ1芯片紧缺现货，目前处于低档调整，惟车用、工控等应用需求稳健，预期陆封城影响快5月缓解，国巨本季业绩将成长4%内，考量封城变数大，第3季还难以预测。
国巨是台湾、大被动元件多层陶瓷电容（MLCC）供应商，在钽电容与芯片电阻市占更居，产品广泛用于笔电、游戏机、手机、车用、通讯等领域，是电子业上游关键零组件供应商，其对市况看法，具有指标意义。
近期上海、苏州、昆山等地因防疫封城，外资关注对电子供应链与国巨的冲击。国巨表示，旗下苏州厂未受影响，维持正常运作，但昆山、上海静默封城，导致部分客户，物流交通也影响原物料供给及出货延迟，因此整体来说，还是会受到影响，不过目前看起来有开始改善迹象，预期5月状况有望缓解。
就当前电子业终端市况来看，国巨坦言，消费性电子与去年同期相比还是偏弱，目前处于低档调整阶段，不过车用、工控等应用需求稳健。
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