供货稳定电容电阻高精密度引脚 同创芯 西安供货稳定电容电阻

谈论热门的太赫兹芯片

在太赫兹芯片相关的基础设施方面，与太赫兹技术相关的芯片通常采用成熟的工艺，比如今年 ISSCC的八篇，全部采用28 nm和以前的工艺(大部分采用65 nm工艺)，这是因为先进工艺的器件特性对于太赫兹技术来说并不是很大。他说：“我们预计，未来太赫兹芯片的芯片工艺将逐渐向28 nm转移，但不能使用16 nm以下。其结果是，中国的太赫兹芯片不受半导体工艺的限制。

但在半导体工艺之外，中国在太赫兹芯片领域的基础设施在 EDA领域落后。目前太赫兹 EDA主要利用 Ansys的 HFSS做无源器件(以及波导)模拟，同时将电路级有源器件的常用模拟 Cadence的 SpectreRF集成起来。这方面，中国的 EDA技术与世界水平相比还有不少差距。

在太赫兹芯片设计领域，中科院上海微系统所、中电38所、50所等科研机构都有相关投入。另外，在太赫兹芯片商用化领域，一些中国的创业公司也正在努力。举例来说，以太赫兹安检成像技术为主导的新公司微度芯创公司，已有80 GHz雷达芯片量产，供货稳定电容电阻一览表，160 GHz雷达芯片已完成验证，240 GHz雷达芯片正在设计中，预计在未来几年内其产品将会进入下一代基于太赫兹成像的高通量安检产品，值得我们期待。当太赫兹技术进一步成熟时，供货稳定电容电阻打样，我们相信中国的相关芯片领域也会越来越多。这个领域并非完全陌生，很多设计技巧和毫米波电路和系统都可以说是一脉相承的，除此之外，中国还有很大的安全检测市场，所以我们认为中国在未来太赫兹芯片设计领域将会世界的潮流。

逆变器和光伏系统的性能要求使WBG器件应用成为

自从宽带隙 （WBG） 器件诞生以来，为功率变换应用带来了一股令人激动的浪潮。但是，在什么情况下从硅片转换到宽带隙技术才有意义呢？迄今为止，西安供货稳定电容电阻，屏蔽栅极 MOSFET、超级结器件和 IGBT等基于硅的功率器件已经很好地在业界得到大规模应用。这些器件在品质因数 （FoM） 方面不断改进，加上在拓扑架构和开关机理等方面的进步，使工程师能够实现更高的系统效率。工程师坚持继续使用硅片的常见原因可能是在这方面拥有丰富的知识和经验。然而，在某些情况下，下一代电源、逆变器和光伏系统的性能要求使WBG器件应用成为。

在中压应用中，英飞凌的 OptiMOS 能够提供业界更佳的品质因数。开关电源（SMPS）、逆变器和电池供电马达等需要100～200V MOSFET 的应用已经在使用这些高频优化器件。然而，随着人工智能 （AI） 协处理器等需要巨大电流的边缘运算应用越来越广泛，供货稳定电容电阻高精密度引脚，对提升电源供电效率和瞬态负载响应能力提出了要求。CoolGaN可提供明显优于任何同类中压硅器件的 FoM以及零反向恢复电荷，这使其成为半桥电路的选择。由于其晶体平面生长特性，使封装能够实现采用顶部散热的创新机制。在 54V 输入/12V 输出的变换器中，基于 CoolGaN 的设计可提供 15A 电流，在500 kHz 开关频率时达到超过 96.5% 的峰值效率。这比同等OptiMOS 5 100V在100 kHz开关频率下效率提高了1%。

总体而言，CoolGaN 和 CoolSiC 都能够提供更好的 FoM，并且可实现比同类硅器件更高的效率。但是，这些并不是需要考虑的因素，价格同样很重要，采用新技术带来的相关风险也是如此。GaN 和 SiC 都具有不同的驱动和工作特性，为了充分发挥这些技术的潜力，可能还需要新的拓扑架构或控制技术。

什么样的可配置 BOM？

按单生产一般采用可配置 BOM (Bill Of Material)，而每个订单 BOM并不是固定的，此时企业就不可能为每一个销售订单所生产的产品建立不同的物料编码。为常见的是根据客户需求装配电脑，客户根据需求选择不同的配置，主板品牌、 CPU、硬盘容量等参数，选好电脑 BOM后再组装电脑。Bosco ERP的实施过程如下：创建销售订单时，成品的特征被提示，用户去选择相关特征，系统根据这些特征对完整的 BOM (超级 BOM)进行逻辑判断(博科 ERP中称为相关性)，配置 BOM满足此销售订单，此业务场景称为可配置 BOM的实现。